2N6660-LCC4 Todos los transistores

 

2N6660-LCC4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N6660-LCC4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 6.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 3 Ohm

Empaquetado / Estuche: LCC4

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2N6660-LCC4 Datasheet (PDF)

3.1. 2n6656-59 2n6660-61.pdf Size:42K _no

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4.1. 2n6660.pdf Size:527K _supertex

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Supertex inc. 2N6660 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description The Supertex 2N6660 is an enhancement-mode (normally- > Free from secondary breakdown off) transistor that utilizes a vertical DMOS structure and > Low power drive requirement Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. > Ease of paralleling This combination produces a devic

4.2. 2n6660 2n6661.pdf Size:21K _supertex

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2N6660 2N6661 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Ordering Information Order Number / Package BVDSS /RDS(ON) ID(ON) BVDGS (max) (min) TO-39 60V 3.0? 1.5A 2N6660 90V 4.0? 1.5A 2N6661 High Reliability Devices Advanced DMOS Technology See pages 5-4 and 5-5 for MILITARY STANDARD Process These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a Flows and Ordering Information.

Otros transistores... 2N6658 , 2N6659 , 2N6659-LCC4 , 2N6659-SM , 2N6660 , 2N6660JAN , 2N6660JANTX , 2N6660JANTXV , IRF830 , 2N6660-SM , 2N6661 , 2N6661-220M , 2N6661JAN , 2N6661JANTX , 2N6661JANTXV , 2N6661-LCC4 , 2N6661SM .

 

 
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