IPB15N03L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB15N03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0129 Ohm
Paquete / Cubierta: PTO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPB15N03L
IPB15N03L Datasheet (PDF)
ipp15n03l ipb15n03l.pdf
IPP15N03LIPB15N03LOptiMOS Buck converter seriesProduct SummaryFeatureVDS 30 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 12.6 m Logic LevelID 42 A Low On-Resistance RDS(on)P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ideal for f
ipb156n22nfd.pdf
IPB156N22NFDMOSFETDPAKOptiMOSTMFD Power-Transistor, 220 VFeatures N-channel, normal level Fast Diode (FD) with reduced Qrr Optimized for hard commutation ruggedness Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to
ipb156n22nfd.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor IPB156N22NFDFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU
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Liste
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