IPB15N03L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB15N03L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0129 Ohm
Encapsulados: PTO263
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IPB15N03L datasheet
ipp15n03l ipb15n03l.pdf
IPP15N03L IPB15N03L OptiMOS Buck converter series Product Summary Feature VDS 30 V N-Channel RDS(on) max. SMD version 12.6 m Logic Level ID 42 A Low On-Resistance RDS(on) P- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) Superior thermal resistance 175 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated Ideal for f
ipb156n22nfd.pdf
IPB156N22NFD MOSFET D PAK OptiMOSTMFD Power-Transistor, 220 V Features N-channel, normal level Fast Diode (FD) with reduced Q rr Optimized for hard commutation ruggedness Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to
ipb156n22nfd.pdf
INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB156N22NFD FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALU
Otros transistores... 12N65AF , SVD4N65T , SVD4N65F , SVD2N60M , SVD2N60F , SVD2N60T , SVD2N60D , IPP15N03L , AO3401 , FTP10N40 , FTA10N40 , 2SK725 , 2SK793 , 2SK1363 , 2SK2196 , 2SK2806-01 , 2SK3455 .
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Liste
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