FTA10N40 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTA10N40 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Encapsulados: TO220F
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de FTA10N40 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
FTA10N40 datasheet
ftp10n40 fta10n40.pdf
FTP10N40/FTA10N40 400V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features Low ON Resistance 400V 0.50 10A Low Gate Charge (typical 34nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant/Lead Free Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger LCD Panel Power Switching application Ordering Information Part Number Package Marking F
ftp10n60c fta10n60c.pdf
FTP10N60C FTA10N60C N-Channel MOSFET Pb Lead Free Package and Finish Applications VDSS RDS(ON) (Max.) ID Adaptor TV Main Power 600 V 0.85 10 A SMPS Power Supply LCD Panel Power D Features RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width Curve G G G Ordering Information DS DS TO-220F TO-220 S PART NUMBE
fta1023.pdf
SEMICONDUCTOR FTA1023 TECHNICAL DATA FTA1023 TRANSISTOR (PNP) B FEATURES Complementary to FTC1027 E DIM MILLIMETERS A 8.2 MAX D B 5.1 MAX C 1.58 MAX D 0.55 MAX MAXIMUM RATINGS (TaB=25 unless otherwise noted) E 0.7 TYP F 1.27 TYP G 2.54 TYP Symbol Parameter Value Unit F H 14.20 MAX G J 0.45 MAX VCBOB Collector-Base Voltage -120 V L 4.10 MAX VCEOB Collector-Emitte
fta1020 to92l.pdf
SEMICONDUCTOR FTA1020 TECHNICAL DATA FEATURES B Power Amplifier Applications Complementary to FTC265 55 E DIM MILLIMETERS MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) A 8.2 MAX D B 5.1 MAX Symbol Parameter Value Unit C 1.58 MAX D 0.55 MAX E 0.7 TYP VCBO Collector-Base Voltage -50 V F 1.27 TYP G 2.54 TYP VCEO Collector-Emitter Voltage -50 V F H 14.20 MAX G
Otros transistores... SVD4N65F, SVD2N60M, SVD2N60F, SVD2N60T, SVD2N60D, IPP15N03L, IPB15N03L, FTP10N40, IRFP260, 2SK725, 2SK793, 2SK1363, 2SK2196, 2SK2806-01, 2SK3455, 2SK3455B, 2SK3534-01MR
History: 2SK3433-S
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023 | MS60P03 | MS40P05AU | MS40P05 | MS40N05 | MS34P07 | MS34P01 | MS23P03 | MS23N06A | BPMS04N003M | BPM0405CG | BPM0306CG | BP0405SCG
Popular searches
bd139 datasheet | irf9640 | 2n3053 | a1015 | mpsa42 | 2n5551 transistor | a1015 transistor | c945
