FTA10N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTA10N40
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 91 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de FTA10N40 MOSFET
FTA10N40 Datasheet (PDF)
ftp10n40 fta10n40.pdf

FTP10N40/FTA10N40400V N-Channel MOSFET BVDSS RDS(ON) (Max.) ID General Features Low ON Resistance 400V 0.50 10A Low Gate Charge (typical 34nC) Fast Switching 100% Avalanche Tested RoHS Compliant/Lead Free Applications High Efficiency SMPS Adaptor/Charger LCD Panel Power Switching application Ordering Information Part Number Package Marking F
ftp10n60c fta10n60c.pdf

FTP10N60CFTA10N60CN-Channel MOSFET PbLead Free Package and FinishApplications:VDSS RDS(ON) (Max.) ID Adaptor TV Main Power600 V 0.85 10 A SMPS Power Supply LCD Panel Power DFeatures: RoHS Compliant Low ON Resistance Low Gate Charge Peak Current vs Pulse Width CurveG GGOrdering InformationDSDS TO-220FTO-220 SPART NUMBE
fta1023.pdf

SEMICONDUCTORFTA1023TECHNICAL DATAFTA1023 TRANSISTOR (PNP) BFEATURES Complementary to FTC1027 EDIM MILLIMETERSA 8.2 MAXDB 5.1 MAXC 1.58 MAXD 0.55 MAXMAXIMUM RATINGS (TaB=25 unless otherwise noted) E 0.7 TYPF 1.27 TYPG 2.54 TYPSymbol Parameter Value UnitFH 14.20 MAX GJ 0.45 MAX VCBOB Collector-Base Voltage -120 V L 4.10 MAX VCEOB Collector-Emitte
fta1020 to92l.pdf

SEMICONDUCTORFTA1020TECHNICAL DATAFEATURES B Power Amplifier Applications Complementary to FTC26555 EDIM MILLIMETERSMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) A 8.2 MAXDB 5.1 MAXSymbol Parameter Value Unit C 1.58 MAXD 0.55 MAXE 0.7 TYPVCBO Collector-Base Voltage -50 V F 1.27 TYPG 2.54 TYPVCEO Collector-Emitter Voltage -50 V FH 14.20 MAX G
Otros transistores... SVD4N65F , SVD2N60M , SVD2N60F , SVD2N60T , SVD2N60D , IPP15N03L , IPB15N03L , FTP10N40 , 8205A , 2SK725 , 2SK793 , 2SK1363 , 2SK2196 , 2SK2806-01 , 2SK3455 , 2SK3455B , 2SK3534-01MR .
History: CEF08N6A | SSM6N39TU | IPB45N06S4-09 | 2SK2372 | AP6683GYT-HF | IPD220N06L3G | IPD50N04S4-08
History: CEF08N6A | SSM6N39TU | IPB45N06S4-09 | 2SK2372 | AP6683GYT-HF | IPD220N06L3G | IPD50N04S4-08



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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