FTK8N65DD Todos los transistores

 

FTK8N65DD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTK8N65DD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO263

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FTK8N65DD datasheet

 7.1. Size:579K  first silicon
 ftk8n65p f dd.pdf pdf_icon

FTK8N65DD

SEMICONDUCTOR FTK8N65P / F / DD TECHNICAL DATA 8.0 Amps, 650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect P Transistors are produced using planar stripe, DMOS technology. 1 This advanced technology has been especially tailored to minimize on - state resistance , provide superior TO-220 switching performance,and Withstand high energy pul

 9.1. Size:272K  first silicon
 ftk8n80p f dd.pdf pdf_icon

FTK8N65DD

SEMICONDUCTOR FTK8N80P/D/DD TECHNICAL DATA 8.0 Amps, 800 Volts N-Channel MOS-FET DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect P Transistors are produced using planar stripe, DMOS technology. 1 This advanced technology has been especially tailored to minimize on - state resistance , provide superior TO-220 switching performance,and Withstand high energy pulse in

Otros transistores... FTK1090 , FTK10N10 , FTK10N60DD , FTK10N60F , FTK10N60P , FTK8810 , FTK8810L , FTK8822 , RFP50N06 , FTK8N65F , FTK8N65P , FTK8N80DD , FTK8N80F , FTK8N80P , FTK9435 , FTK9926 , FTK80N03D .

History: IRLZ34N | IRLZ40 | FTK8N65P | IRLZ34NS | BSB053N03LPG

 

 

 

 

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