FTK8N65DD - описание и поиск аналогов

 

FTK8N65DD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK8N65DD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для FTK8N65DD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK8N65DD даташит

 7.1. Size:579K  first silicon
 ftk8n65p f dd.pdf pdf_icon

FTK8N65DD

SEMICONDUCTOR FTK8N65P / F / DD TECHNICAL DATA 8.0 Amps, 650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect P Transistors are produced using planar stripe, DMOS technology. 1 This advanced technology has been especially tailored to minimize on - state resistance , provide superior TO-220 switching performance,and Withstand high energy pul

 9.1. Size:272K  first silicon
 ftk8n80p f dd.pdf pdf_icon

FTK8N65DD

SEMICONDUCTOR FTK8N80P/D/DD TECHNICAL DATA 8.0 Amps, 800 Volts N-Channel MOS-FET DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect P Transistors are produced using planar stripe, DMOS technology. 1 This advanced technology has been especially tailored to minimize on - state resistance , provide superior TO-220 switching performance,and Withstand high energy pulse in

Другие MOSFET... FTK1090 , FTK10N10 , FTK10N60DD , FTK10N60F , FTK10N60P , FTK8810 , FTK8810L , FTK8822 , RFP50N06 , FTK8N65F , FTK8N65P , FTK8N80DD , FTK8N80F , FTK8N80P , FTK9435 , FTK9926 , FTK80N03D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.