Справочник MOSFET. FTK8N65DD

 

FTK8N65DD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK8N65DD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK8N65DD Datasheet (PDF)

 7.1. Size:579K  first silicon
 ftk8n65p f dd.pdf pdf_icon

FTK8N65DD

SEMICONDUCTORFTK8N65P / F / DDTECHNICAL DATA8.0 Amps, 650 VoltsN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectP :Transistors are produced using planar stripe, DMOStechnology.1This advanced technology has been especially tailoredto minimize on - state resistance , provide superiorTO-220switching performance,and Withstand high energy pul

 9.1. Size:272K  first silicon
 ftk8n80p f dd.pdf pdf_icon

FTK8N65DD

SEMICONDUCTORFTK8N80P/D/DDTECHNICAL DATA8.0 Amps, 800 Volts N-Channel MOS-FETDESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectP :Transistors are produced using planar stripe, DMOStechnology.1This advanced technology has been especially tailoredto minimize on - state resistance , provide superior TO-220switching performance,and Withstand high energy pulsein

Другие MOSFET... FTK1090 , FTK10N10 , FTK10N60DD , FTK10N60F , FTK10N60P , FTK8810 , FTK8810L , FTK8822 , 7N60 , FTK8N65F , FTK8N65P , FTK8N80DD , FTK8N80F , FTK8N80P , FTK9435 , FTK9926 , FTK80N03D .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.