FTK8N65F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTK8N65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: TO220F
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FTK8N65F datasheet
ftk8n65p f dd.pdf
SEMICONDUCTOR FTK8N65P / F / DD TECHNICAL DATA 8.0 Amps, 650 Volts N-CHANNEL MOSFET DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect P Transistors are produced using planar stripe, DMOS technology. 1 This advanced technology has been especially tailored to minimize on - state resistance , provide superior TO-220 switching performance,and Withstand high energy pul
ftk8n80p f dd.pdf
SEMICONDUCTOR FTK8N80P/D/DD TECHNICAL DATA 8.0 Amps, 800 Volts N-Channel MOS-FET DESCRIPTION These N-Channel enhancement mode power field effect P Transistors are produced using planar stripe, DMOS technology. 1 This advanced technology has been especially tailored to minimize on - state resistance , provide superior TO-220 switching performance,and Withstand high energy pulse in
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