FTK8N80P Todos los transistores

 

FTK8N80P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK8N80P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 142 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

FTK8N80P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:272K  first silicon
 ftk8n80p f dd.pdf pdf_icon

FTK8N80P

SEMICONDUCTORFTK8N80P/D/DDTECHNICAL DATA8.0 Amps, 800 Volts N-Channel MOS-FETDESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectP :Transistors are produced using planar stripe, DMOStechnology.1This advanced technology has been especially tailoredto minimize on - state resistance , provide superior TO-220switching performance,and Withstand high energy pulsein

 9.1. Size:579K  first silicon
 ftk8n65p f dd.pdf pdf_icon

FTK8N80P

SEMICONDUCTORFTK8N65P / F / DDTECHNICAL DATA8.0 Amps, 650 VoltsN-CHANNEL MOSFET DESCRIPTIONThese N-Channel enhancement mode power field effectP :Transistors are produced using planar stripe, DMOStechnology.1This advanced technology has been especially tailoredto minimize on - state resistance , provide superiorTO-220switching performance,and Withstand high energy pul

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History: SHD219409 | GSM2341 | RRL025P03 | TP2104N3 | MTB60N06L3 | BSS123A | GSM2308

 

 
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