FTK9435 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTK9435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
Encapsulados: SOP8
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FTK9435 datasheet
ftk9435.pdf
SEMICONDUCTOR FTK9435 TECHNICAL DATA D DESCRIPTION The FTK9435 uses advanced trench technology to G provide excellent RDS(ON), low gate charge .It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V 25V). S Schematic diagram D D D D GENERAL FEATURES 7 6 5 8 VDS = -30V,ID = -5.3A RDS(ON)
ftk9452.pdf
SEMICONDUCTOR FTK9452 TECHNICAL DATA N-Channel 20-V(D-S) MOSFET A C H G The Advanced Power MOSFETs provide the desigher with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, D D K ultra low on- resistance and cost-effectiveness. F F D DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 C 1.70 MAX 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 E 4.25 MAX G _ + F 1.50 0.10 G 0.
ftk9451.pdf
SEMICONDUCTOR FTK9451 TECHNICAL DATA P-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-89 Description The Advanced Power MOSFETs provide the desigher with the 1. GATE best combination of fast switching, ruggedized device desigh, 2. DRAIN ultra low on- resistance and cost-effectiveness. 3. SOURCE 1 2 3 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Units Dr
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History: KDR8702H
History: KDR8702H
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