FTK830D Todos los transistores

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FTK830D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTK830D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 93 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 50 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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FTK830D Datasheet (PDF)

4.1. ftk830p f d i.pdf Size:262K _first_silicon

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SEMICONDUCTOR FTK830P / F / D / I TECHNICAL DATA Power MOSFET 5A, 500V, 1.5 Ω, N-CHANNEL POWER MOSFET I : 1 TO - 251 DESCRIPTION D : 1 The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET TO - 252 is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. P : 1 TO - 220

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