Справочник MOSFET. FTK830D

 

FTK830D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK830D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для FTK830D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK830D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:262K  first silicon
 ftk830 ftk830p f d i.pdf pdf_icon

FTK830D

SEMICONDUCTORFTK830P / F / D / ITECHNICAL DATAPower MOSFET5A, 500V, 1.5 ,N-CHANNEL POWER MOSFETI :1TO - 251DESCRIPTIOND :1The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETTO - 252is designed for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.P :1TO - 220

Другие MOSFET... FTK9926 , FTK80N03D , FTK80N08 , FTK80N10P , FTK8205A , FTK830P , FTK830F , FTK830I , IRFZ48N , FTK84 , FTK840P , FTK840F , FTK84D , FTK7N60DD , FTK7N60F , FTK7N60P , FTK7N65P .

History: FHD630A | SSM6P15FU | STW75N60M6 | IXTK120N25P | SWN7N65K2 | HGP059N08A | STD100N03LT4

 

 
Back to Top

 


 
.