FTK6601 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTK6601

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4(2.3) A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06(0.135) Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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FTK6601 datasheet

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FTK6601

SEMICONDUCTOR FTK6601 TECHNICAL DATA P-channel and N-channel Complementary MOSFETS General Description SOT-23-6L The FTK6601 uses advanced trench technology to provide excellent and low gate charge. The complementary MOSFETS form a high-speed power inverter and suitable for a multitude of applications. MARKING L6601 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Value P

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FTK6601

SEMICONDUCTOR FTK6601S TECHNICAL DATA P-channel and N-channel Complementary MOSFETS General Description The FTK6601S uses advanced trench technology to provide excellent SOP8 and low gate charge. The complementary MOSFETS form a high-speed power inverter and suitable for a multitude of applications. FEATURES Including a N-ch FTK3400 MOS and a P-ch Surface mount package

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