Справочник MOSFET. FTK6601

 

FTK6601 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK6601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4(2.3) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06(0.135) Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  first silicon
 ftk6601.pdf pdf_icon

FTK6601

SEMICONDUCTORFTK6601TECHNICAL DATAP-channel and N-channel Complementary MOSFETS General Description SOT-23-6L The FTK6601 uses advanced trench technology to provide excellent and low gate charge. The complementary MOSFETS form a high-speed power inverter and suitable for a multitude of applications. MARKING: L6601 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Value P

 0.1. Size:473K  first silicon
 ftk6601s.pdf pdf_icon

FTK6601

SEMICONDUCTORFTK6601STECHNICAL DATAP-channel and N-channel Complementary MOSFETS General Description The FTK6601S uses advanced trench technology to provide excellent SOP8 and low gate charge. The complementary MOSFETS form a high-speed power inverter and suitable for a multitude of applications.FEATURES Including a N-ch FTK3400 MOS and a P-ch Surface mount package

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 2SK4119LS | 12N65KL-TF2-T | IRFBF30PBF | AP3402GEJ | FTK3404 | STK822

 

 
Back to Top

 


 
.