Справочник MOSFET. FTK6601

 

FTK6601 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK6601
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4(2.3) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06(0.135) Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для FTK6601

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK6601 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  first silicon
 ftk6601.pdf pdf_icon

FTK6601

SEMICONDUCTORFTK6601TECHNICAL DATAP-channel and N-channel Complementary MOSFETS General Description SOT-23-6L The FTK6601 uses advanced trench technology to provide excellent and low gate charge. The complementary MOSFETS form a high-speed power inverter and suitable for a multitude of applications. MARKING: L6601 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Value P

 0.1. Size:473K  first silicon
 ftk6601s.pdf pdf_icon

FTK6601

SEMICONDUCTORFTK6601STECHNICAL DATAP-channel and N-channel Complementary MOSFETS General Description The FTK6601S uses advanced trench technology to provide excellent SOP8 and low gate charge. The complementary MOSFETS form a high-speed power inverter and suitable for a multitude of applications.FEATURES Including a N-ch FTK3400 MOS and a P-ch Surface mount package

Другие MOSFET... FTK7510P , FTK6014 , FTK6014A , FTK60N04D , FTK60P05S , FTK6401 , FTK640F , FTK640P , IRFB4110 , FTK6601S , FTK6808 , FTK6N70P , FTK6N70F , FTK6N70I , FTK6N70D , FTK50N06D , FTK50N06DD .

History: SIA430DJ | CM8N60 | IRFZ44NLPBF | FDD3N40 | JCS640C | FXN32N55T | JBE102G

 

 
Back to Top

 


 
.