FTK6N70I Todos los transistores

 

FTK6N70I MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK6N70I
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37.87 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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FTK6N70I Datasheet (PDF)

 7.1. Size:638K  first silicon
 ftk6n70p f d i.pdf pdf_icon

FTK6N70I

SEMICONDUCTORFTK6N70P/F/D/ITECHNICAL DATAPower MOSFET6.0 Amps, 700 VoltsI :N-CHANNEL MOSFET 1TO - 251D :1DESCRIPTIONTO - 252The FTK6N70 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate P :charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually us

Otros transistores... FTK6401 , FTK640F , FTK640P , FTK6601 , FTK6601S , FTK6808 , FTK6N70P , FTK6N70F , STP75NF75 , FTK6N70D , FTK50N06D , FTK50N06DD , FTK50N06F , FTK50N10P , FTK50P03PDFN56 , FTK55P30D , FTK5903DC .

History: BUK664R4-55C | FTK6N70P | SRT04N016LDTR-GS | CMD50P03 | VBMB1638 | STW70N10F4 | CMD50N06B

 

 
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