FTK6N70D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTK6N70D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37.87 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.7 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de FTK6N70D MOSFET
FTK6N70D Datasheet (PDF)
ftk6n70p f d i.pdf

SEMICONDUCTORFTK6N70P/F/D/ITECHNICAL DATAPower MOSFET6.0 Amps, 700 VoltsI :N-CHANNEL MOSFET 1TO - 251D :1DESCRIPTIONTO - 252The FTK6N70 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate P :charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually us
Otros transistores... FTK640F , FTK640P , FTK6601 , FTK6601S , FTK6808 , FTK6N70P , FTK6N70F , FTK6N70I , AON7408 , FTK50N06D , FTK50N06DD , FTK50N06F , FTK50N10P , FTK50P03PDFN56 , FTK55P30D , FTK5903DC , FTK5N50D .
History: APQ07SN65AH | IRFSL38N20D | IXFT150N20T | PSMN9R0-30LL | YTF153 | 2SJ650 | 4N80L-TF2-T
History: APQ07SN65AH | IRFSL38N20D | IXFT150N20T | PSMN9R0-30LL | YTF153 | 2SJ650 | 4N80L-TF2-T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135 | d880 | 2n5457 equivalent