IRF530N Todos los transistores

 

IRF530N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF530N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF530N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  international rectifier
irf530npbf.pdf pdf_icon

IRF530N
IRF530N

PD - 94962IRF530NPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 100Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 90ml Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 17Al Lead-FreeSDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremel

 ..2. Size:212K  international rectifier
irf530n.pdf pdf_icon

IRF530N
IRF530N

PD - 91351IRF530NHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 100V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 90mG Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 17ASDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistanc

 ..3. Size:98K  philips
irf530n 1.pdf pdf_icon

IRF530N
IRF530N

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor IRF530N FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 100 V Fast switching Low thermal resistance ID = 17 AgRDS(ON) 110 msGENERAL DESCRIPTION PINNING SOT78 (TO220AB)N-channel enhancement mode PIN DESCRIPTIONtabfield-effect po

 ..4. Size:183K  infineon
irf530npbf.pdf pdf_icon

IRF530N
IRF530N

PD - 94962IRF530NPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 100Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 90ml Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 17Al Lead-FreeSDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremel

Otros transistores... IRF522 , IRF523 , IRF530 , IRF5305 , IRF5305L , IRF5305S , IRF530A , IRF530FI , IRFP260N , IRF530NL , IRF530NS , IRF531 , IRF532 , IRF533 , IRF540 , IRF540A , IRF540FI .

 

 
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