IRF530NS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF530NS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de IRF530NS MOSFET
IRF530NS Datasheet (PDF)
irf530nspbf irf530nlpbf.pdf

PD - 95100IRF530NSPbFIRF530NLPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDVDSS = 100Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 90mGl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 17Al Lead-Free SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achi
irf530ns.pdf

PD - 91352AIRF530NS/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology DVDSS =100V Surface Mount (IRF530NS) Low-profile through-hole (IRF530NL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.11G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 17ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low o
irf530nspbf.pdf

PD - 95100IRF530NSPbFIRF530NLPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDVDSS = 100Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 90mGl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 17Al Lead-Free SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achi
irf530ns.pdf

IRF530NSwww.VBsemi.twwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETV(BR)DSS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction TemperatureRoHS0.100 at VGS = 10 V10020COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg TestedAPPLICATIONS Isolated DC/DC ConvertersDD2PAK(TO-263)GGDSSN-Channel MOSFET
Otros transistores... IRF530 , IRF5305 , IRF5305L , IRF5305S , IRF530A , IRF530FI , IRF530N , IRF530NL , 10N60 , IRF531 , IRF532 , IRF533 , IRF540 , IRF540A , IRF540FI , IRF540N , IRF540NL .
History: 2SK641 | APT50M85B2VFRG | HSU80N03 | IXFT21N50F | IXFT14N80P | CHM02N6GPAGP | CED2303
History: 2SK641 | APT50M85B2VFRG | HSU80N03 | IXFT21N50F | IXFT14N80P | CHM02N6GPAGP | CED2303



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTK3005L | JMTK3005C | JMTK3005B | JMTK3005A | JMTK3004A | JMTK3003A | JMTK3002B | JMTK290N06A | JMTK2007A | JMTK2006A | JMTK170N10A | JMTK160P03A | JMTK1404A1 | JMTK130P04A | JMTK120N03A | JMTK110N06A
Popular searches
c2878 transistor | 2sc732 | 2sc1451 replacement | 6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet