FTK2102 Todos los transistores

 

FTK2102 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK2102
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

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FTK2102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  first silicon
 ftk2102.pdf pdf_icon

FTK2102

SEMICONDUCTORFTK2102TECHNICAL DATA20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 21SOT323APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3 Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc 1 2 MARKING: TS2 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)

 8.1. Size:162K  first silicon
 ftk2101.pdf pdf_icon

FTK2102

SEMICONDUCTORFTK2101TECHNICAL DATA20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURE 3Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life 21SOT323APPLICATIONS High Side Load Switch Charging Circuit 3D Single Cell Battery Applications such as Cell Phones, Digital Cameras ,PDAs, etc G1S2MARKING: TS1 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise n

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History: BSB012NE2LX | 2N7002Z | SM3413PSQG | UTT30N10 | AM4530C | FQB3N30TM | AO4443

 

 
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