FTK25N03PDFN33 Todos los transistores

 

FTK25N03PDFN33 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK25N03PDFN33
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3.3X3.3-8L-A
 

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FTK25N03PDFN33 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  first silicon
 ftk25n03pdfn33.pdf pdf_icon

FTK25N03PDFN33

SEMICONDUCTORFTK25N03PDFN33TECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET PDFN3.33.3-8L-A DESCRIPTION The FTK25N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Battery switch Good stability and uniformity with high EAS Load switch Excellent package for good he

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History: RSS100N03TB | YJL05N06AL | IRF7706PBF | BUK9K52-60E | PHD23NQ10T | SM6A22NSFP | FDD6782A

 

 
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