FTK25N03PDFN33. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK25N03PDFN33

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3-8L-A

Аналог (замена) для FTK25N03PDFN33

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK25N03PDFN33 даташит

 ..1. Size:430K  first silicon
 ftk25n03pdfn33.pdf pdf_icon

FTK25N03PDFN33

SEMICONDUCTOR FTK25N03PDFN33 TECHNICAL DATA N-Channel Power MOSFET PDFN3.3 3.3-8L-A DESCRIPTION The FTK25N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Battery switch Good stability and uniformity with high EAS Load switch Excellent package for good he

Другие IGBT... FTK2304, FTK2306, FTK2306A, FTK2310, FTK2312, FTK2324, FTK2333, FTK2341E, RU7088R, FTK2627, FTK2816E, FTK3004D, FTK3018, FTK3022, FTK3051, FTK3134K, FTK3134KD