FTK25N03PDFN33 - аналоги и даташиты транзистора

 

FTK25N03PDFN33 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FTK25N03PDFN33
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3.3X3.3-8L-A
 

 Аналог (замена) для FTK25N03PDFN33

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK25N03PDFN33 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:430K  first silicon
 ftk25n03pdfn33.pdf pdf_icon

FTK25N03PDFN33

SEMICONDUCTORFTK25N03PDFN33TECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET PDFN3.33.3-8L-A DESCRIPTION The FTK25N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications FEATURES Battery switch Good stability and uniformity with high EAS Load switch Excellent package for good he

Другие MOSFET... FTK2304 , FTK2306 , FTK2306A , FTK2310 , FTK2312 , FTK2324 , FTK2333 , FTK2341E , AON7403 , FTK2627 , FTK2816E , FTK3004D , FTK3018 , FTK3022 , FTK3051 , FTK3134K , FTK3134KD .

History: TPC8121 | MP10N60EIS | STI19NM65N | SQM120N04-02L

 

 
Back to Top

 


 
.