IRF260B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF260B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 230 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF260B

IRF260B Datasheet (PDF)

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irf260b irf260c.pdf

RoHS IRF260 Series RoHS SEMICONDUCTORNell High Power ProductsN-Channel Power MOSFET50A, 200VoltsDESCRIPTIOND The Nell IRF260 is a three-terminal silicon devicewith current conduction capability of 50A, fast switchingspeed, low on-state resistance, breakdown voltagerating of 200V, and max. threshold voltage of 4 volts. They are designed for use in applications such as G

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Liste

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