2N3459 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N3459
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 50 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.004 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10000 Ohm
Paquete / Cubierta: TO18
Búsqueda de reemplazo de 2N3459 MOSFET
2N3459 Datasheet (PDF)
2n3498 2n3499 2n3450 2n3451.pdf

TECHNICAL DATA NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/366 Devices Qualified Level JAN 2N3498 2N3499 2N3500 2N3501 JANTX 2N3498L 2N3499L 2N3500L 2N3501L JANTXV JANS MAXIMUM RATINGS 2N3498* 2N3500* Ratings Symbol 2N3499* 2N3501* Unit Collector-Emitter Voltage 100 150 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 100 150 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 6.0 6.0 Vdc VE
Otros transistores... 2SK2769-01MR , 2SK3113 , 2SK3687-01MR , 2SK3919 , 2SK4213 , IRF260B , IRF260C , 2N3458 , IRFP450 , 2N3460 , 2SJ599 , 2SK1657 , FMH20N60S1 , IRF630B , IRFP264N , SM4912TSK , SST108 .
History: AOCA32112E | FQA13N80-F109 | HFU630
History: AOCA32112E | FQA13N80-F109 | HFU630



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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