Справочник MOSFET. 2N3459

 

2N3459 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2N3459
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 50 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.004 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10000 Ohm
   Тип корпуса: TO18
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2N3459 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  njs
2n3458 2n3459 2n3460.pdfpdf_icon

2N3459

 9.1. Size:69K  microsemi
2n3498 2n3499 2n3450 2n3451.pdfpdf_icon

2N3459

TECHNICAL DATA NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/366 Devices Qualified Level JAN 2N3498 2N3499 2N3500 2N3501 JANTX 2N3498L 2N3499L 2N3500L 2N3501L JANTXV JANS MAXIMUM RATINGS 2N3498* 2N3500* Ratings Symbol 2N3499* 2N3501* Unit Collector-Emitter Voltage 100 150 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 100 150 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 6.0 6.0 Vdc VE

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HM4421B | SIHFZ20 | IXFK110N20 | NCE65T260F | IXTA02N450HV | FDG6316P

 

 
Back to Top

 


 
.