2N3459. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N3459

Тип транзистора: JFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 50 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.004 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10000 Ohm

Тип корпуса: TO18

Аналог (замена) для 2N3459

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N3459 даташит

 ..1. Size:52K  njs
 2n3458 2n3459 2n3460.pdf pdf_icon

2N3459

 9.1. Size:69K  microsemi
 2n3498 2n3499 2n3450 2n3451.pdf pdf_icon

2N3459

TECHNICAL DATA NPN SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/366 Devices Qualified Level JAN 2N3498 2N3499 2N3500 2N3501 JANTX 2N3498L 2N3499L 2N3500L 2N3501L JANTXV JANS MAXIMUM RATINGS 2N3498* 2N3500* Ratings Symbol 2N3499* 2N3501* Unit Collector-Emitter Voltage 100 150 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 100 150 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 6.0 6.0 Vdc VE

Другие IGBT... 2SK2769-01MR, 2SK3113, 2SK3687-01MR, 2SK3919, 2SK4213, IRF260B, IRF260C, 2N3458, NCEP15T14, 2N3460, 2SJ599, 2SK1657, FMH20N60S1, IRF630B, IRFP264N, SM4912TSK, SST108