IRF611 Todos los transistores

 

IRF611 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF611
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF611 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:295K  1
irf614 irf615.pdf pdf_icon

IRF611

 9.2. Size:178K  international rectifier
irf610s.pdf pdf_icon

IRF611

 9.3. Size:134K  international rectifier
irf614pbf.pdf pdf_icon

IRF611

IRF614, SiHF614Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 2.0RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 8.2 COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 1.8 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 4.5Configuration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDD

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