WPM9435 Todos los transistores

 

WPM9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WPM9435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8P
 

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WPM9435 Datasheet (PDF)

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WPM9435

WPM9435WPM9435 P-Channel Enhancement Mode MOSFET www.willsemi.comDescription The WPM9435 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, noteb

Otros transistores... WPM3004 , WPM3005 , WPM3012 , WPM3401 , WPM3407 , WPM4801 , WPM4803 , WPM5001 , IRF9540N , WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , WPMD3002 , BSR202N , BSR302N .

History: IRFR210

 

 
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