WPM9435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WPM9435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8P
Búsqueda de reemplazo de WPM9435 MOSFET
WPM9435 Datasheet (PDF)
wpm9435.pdf

WPM9435WPM9435 P-Channel Enhancement Mode MOSFET www.willsemi.comDescription The WPM9435 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, noteb
Otros transistores... WPM3004 , WPM3005 , WPM3012 , WPM3401 , WPM3407 , WPM4801 , WPM4803 , WPM5001 , IRF9540N , WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , WPMD3002 , BSR202N , BSR302N .
History: APT7F100B | PJA3405 | STB24NM60N | PJA3439 | APT7F100S | PSMN7R0-100PS | SSF7400
History: APT7F100B | PJA3405 | STB24NM60N | PJA3439 | APT7F100S | PSMN7R0-100PS | SSF7400



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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