WPM9435 Todos los transistores

 

WPM9435 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WPM9435

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.066 Ohm

Encapsulados: SOP8P

 Búsqueda de reemplazo de WPM9435 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WPM9435 datasheet

 ..1. Size:831K  willsemi
 wpm9435.pdf pdf_icon

WPM9435

WPM9435 WPM9435 P-Channel Enhancement Mode MOSFET www.willsemi.com Description The WPM9435 is the P-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application, noteb

Otros transistores... WPM3004 , WPM3005 , WPM3012 , WPM3401 , WPM3407 , WPM4801 , WPM4803 , WPM5001 , SKD502T , WPMD2008 , WPMD2010 , WPMD2011 , WPMD2012 , WPMD2013 , WPMD3002 , BSR202N , BSR302N .

History: NTD4856N | 2SK3731 | ISF40NF20 | NTD4855N | 2SK346 | ISCNH376L | WPM4803

 

 

 

 

↑ Back to Top
.