MGSF1N02LT1G Todos los transistores

 

MGSF1N02LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MGSF1N02LT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET MGSF1N02LT1G

 

MGSF1N02LT1G Datasheet (PDF)

 3.1. Size:127K  motorola
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 3.2. Size:63K  onsemi
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MGSF1N02LT1Preferred DevicePower MOSFET750 mAmps, 20 VoltsN-Channel SOT-23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assurehttp://onsemi.comminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in space sensitive power management circuitry. Typical750 mAMPS, 20 VOLTSapplications are dc-dc converters and power management in portableRDS(on) = 90 mW

 3.3. Size:53K  tysemi
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MGSF1N02LT1G
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Product specificationMGSF1N02LT1Power MOSFET750 mAMPS750 mAmps, 20 Volts 20 VOLTSRDS(on) = 90 mWNChannel SOT23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assureNChannelminimal power loss and conserve energy, making these devices ideal3for use in space sensitive power management circuitry. Typicalapplications are dcdc converters and power management in p

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