MGSF1N02LT1G Todos los transistores

 

MGSF1N02LT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MGSF1N02LT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: SOT23

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MGSF1N02LT1G datasheet

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MGSF1N02LT1G

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MGSF1N02LT1/D MGSF1N02LT1 Motorola Preferred Device Low rDS(on) Small-Signal MOSFETs TMOS Single N-Channel N CHANNEL ENHANCEMENT MODE Field Effect Transistors TMOS MOSFET Part of the GreenLine Portfolio of devices with energy conserving traits. These miniature surface mount MOSFETs utilize Motorola

 3.2. Size:63K  onsemi
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MGSF1N02LT1G

MGSF1N02LT1 Preferred Device Power MOSFET 750 mAmps, 20 Volts N-Channel SOT-23 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure http //onsemi.com minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. Typical 750 mAMPS, 20 VOLTS applications are dc-dc converters and power management in portable RDS(on) = 90 mW

 3.3. Size:53K  tysemi
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MGSF1N02LT1G

Product specification MGSF1N02LT1 Power MOSFET 750 mAMPS 750 mAmps, 20 Volts 20 VOLTS RDS(on) = 90 mW N Channel SOT 23 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure N Channel minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal 3 for use in space sensitive power management circuitry. Typical applications are dc dc converters and power management in p

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History: 2N80G-TA3-T | .8205S | APM2054NV | SM4506NHKP | DMG2302UQ | TK7A60W | HY1707PS

 

 

 

 

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