MGSF1N02LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MGSF1N02LT1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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MGSF1N02LT1G Datasheet (PDF)
mgsf1n02lt1rev2.pdf
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mgsf1n02lt1.pdf
Product specificationMGSF1N02LT1Power MOSFET750 mAMPS750 mAmps, 20 Volts 20 VOLTSRDS(on) = 90 mWNChannel SOT23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assureNChannelminimal power loss and conserve energy, making these devices ideal3for use in space sensitive power management circuitry. Typicalapplications are dcdc converters and power management in p
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Liste
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