MGSF2N02ELT1G Todos los transistores

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MGSF2N02ELT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MGSF2N02ELT1G

Código: NT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.25 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 95 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 130 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.085 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23

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MGSF2N02ELT1G Datasheet (PDF)

1.1. mgsf2n02el-d.pdf Size:54K _onsemi

MGSF2N02ELT1G
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MGSF2N02EL Preferred Device Power MOSFET 2.8 Amps, 20 Volts, N-Channel SOT-23 These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal for use in space sensitive power management circuitry. http://onsemi.com Features 2.8 A, 20 V Pb-Free Packages are Available RDS(on) = 85 mW (max) Low RDS(on) Provides Higher Efficie

1.2. mgsf2n02el.pdf Size:89K _tysemi

MGSF2N02ELT1G
MGSF2N02ELT1G

Product specification MGSF2N02EL Power MOSFET 2.8 A, 20 V 2.8 Amps, 20 Volts, N-Channel SOT-23 RDS(on) = 85 mW (max) These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assure N-Channel minimal power loss and conserve energy, making these devices ideal D for use in space sensitive power management circuitry. Features • Pb-Free Packages are Available • Low RDS(on) Provides Higher

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