MGSF2N02ELT1G Todos los transistores

 

MGSF2N02ELT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MGSF2N02ELT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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MGSF2N02ELT1G Datasheet (PDF)

 4.1. Size:54K  onsemi
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MGSF2N02ELT1G

MGSF2N02ELPreferred Device Power MOSFET2.8 Amps, 20 Volts, N-Channel SOT-23These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assureminimal power loss and conserve energy, making these devices idealfor use in space sensitive power management circuitry. http://onsemi.comFeatures2.8 A, 20 V Pb-Free Packages are AvailableRDS(on) = 85 mW (max) Low RDS(on) Provides Higher

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MGSF2N02ELT1G

MGSF2N02EL,MVSF2N02ELMOSFET N-Channel,SOT-232.8 A, 20 Vwww.onsemi.comThese miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assureminimal power loss and conserve energy, making these devices ideal2.8 A, 20 Vfor use in space sensitive power management circuitry.RDS(on) = 85 mW (max)Features Low RDS(on) Provides Higher Efficiency and Extends Battery LifeN-Channel

 4.3. Size:89K  tysemi
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MGSF2N02ELT1G

Product specificationMGSF2N02ELPower MOSFET2.8 A, 20 V2.8 Amps, 20 Volts, N-Channel SOT-23RDS(on) = 85 mW (max)These miniature surface mount MOSFETs low RDS(on) assureN-Channelminimal power loss and conserve energy, making these devices idealDfor use in space sensitive power management circuitry.Features Pb-Free Packages are Available Low RDS(on) Provides Higher

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History: WNM2023 | NTZD3155CT1G

 

 
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