CM10N40 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM10N40
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Encapsulados: TO220A
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CM10N40 datasheet
cm10n40.pdf
R C1N0 M04 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 400V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3 TO-2
cm10n60f.pdf
R CM10N60F www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2 1
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History: TN0106 | FDMS3604AS | FDMS5352
History: TN0106 | FDMS3604AS | FDMS5352
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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