CM10N40 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CM10N40
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO220A
Аналог (замена) для CM10N40
CM10N40 Datasheet (PDF)
cm10n40.pdf
RC1N0M04 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 400V N-Channel VDMOS RoHS 12 3TO-2
cm10n60afz.pdf
RC1N0FM06AZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1LDE21 2
cm10n65f.pdf
RCM10N65F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 12
cm10n60f.pdf
RCM10N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 1
Другие MOSFET... WNM2027 , WNM2034 , XP151A11B0MR , XP151A12A2MR , XP151A13A0MR , XP152A11E5MR , XP152A12C0MR , CM100N03 , IRFZ46N , CM10N60 , CM10N60AFZ , CM10N60AZ , CM10N60F , CM10N65AFZ , CM10N65AZ , CM10N65F , CM10N80P .
History: 2SK3857MFV | WSC40N06 | APG095N01G | 2SJ551 | IRLR8729TR | AO3403A | 2SK3299
History: 2SK3857MFV | WSC40N06 | APG095N01G | 2SJ551 | IRLR8729TR | AO3403A | 2SK3299
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333










