CM12N65AF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM12N65AF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
Encapsulados: TO220FH
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CM12N65AF datasheet
cm12n65a to220a.pdf
R CM12N65A www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2 3
cm12n65 to220a.pdf
R CM12N65 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS
cm12n65f.pdf
R CM12N65F www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2 1 2
Otros transistores... CM10N65F , CM10N80P , CM110N055 , CM120N06 , CM12N60A , CM12N60AF , CM12N65 , CM12N65A , IRF730 , CM12N65F , CM13N50 , CM13N50F , CM140N04 , CM15N50 , CM18N20 , CM18N50F , CM18N50P .
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