2N7081 Todos los transistores

 

2N7081 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N7081
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N7081 Datasheet (PDF)

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2N7081

2N7081220MISOMECHANICAL DATADimensions in mm(inches)NCHANNELPOWER MOSFET4.83 (0.190)5.08 (0.200)10.41 (0.410)10.67 (0.420)0.89 (0.035)1.14 (0.045)VDSS 100V3.56 (0.140)Dia.3.81 (0.150)ID(cont) 11ARDS(on) 0.151 2 3FEATURES TO220 ISOLATED HERMETIC PACKAGE LOW RDS(ON)0.64 (0.025)Dia.0.89 (0.035) SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

 9.1. Size:285K  rca
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2N7081

 9.2. Size:209K  1
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History: 2SK738-Z | 2N7064 | FQD5N15TF | IXFK48N50Q | IXFR80N60P3 | APT6025BVR | MTP60N06HD

 

 
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