CM18N20 Todos los transistores

 

CM18N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM18N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm

Encapsulados: TO220A

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CM18N20 datasheet

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CM18N20

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CM18N20

R C1N0 M85P www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 1 2 3 3

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CM18N20

Otros transistores... CM12N65 , CM12N65A , CM12N65AF , CM12N65F , CM13N50 , CM13N50F , CM140N04 , CM15N50 , IRF540N , CM18N50F , CM18N50P , 1D5N60 , CM1N60 , CM1N60C , CM1N60S , CM1N70 , CM20N50 .

 

 

 


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