CM18N50P Todos los transistores

 

CM18N50P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM18N50P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 240 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.45 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PB

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CM18N50P Datasheet (PDF)

0.1. cm18n50p.pdf Size:124K _jdsemi

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RC1N0M85P www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 121 2 33

7.1. cm18n50f.pdf Size:146K _jdsemi

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RCM18N50F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS

 9.1. cm18n20.pdf Size:122K _jdsemi

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RC1N0M82 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 200V N-Channel VDMOS RoHS 12 3TO-220A 4

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