CM18N50P MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent
Type Designator: CM18N50P
Type of Transistor: MOSFET
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 240 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Drain Current |Id|: 18 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.45 Ohm
Package: TO3PB
CM18N50P Transistor Equivalent Substitute - MOSFET Cross-Reference Search
CM18N50P Datasheet (PDF)
1.1. cm18n50p.pdf 
Size:124K _jdsemi
R C1N0 M85P 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆500V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 ．主要用途 主要用于电焊机控制、大功率开关电源 等功率开关电路 2 ．主要特点 1 开关速度快 2 驱动简单，可并联使用 3 3
3.1. cm18n50f.pdf Size:146K _jdsemi
R CM18N50F 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆500V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS
5.1. cm18n20.pdf Size:122K _jdsemi
R C1N0 M82 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆200V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 ．主要用途 主要用于电源、适配器等功率开关电路 2 ．主要特点 开关速度快 驱动简单，可并联使用 3 ．封装外形 TO-220A 4
Datasheet: CM12N65AF , CM12N65F , CM13N50 , CM13N50F , CM140N04 , CM15N50 , CM18N20 , CM18N50F , IRF640 , 1D5N60 , CM1N60 , CM1N60C , CM1N60S , CM1N70 , CM20N50 , CM20N50F , CM20N50P .
