CM25N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM25N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220A
Búsqueda de reemplazo de CM25N06 MOSFET
CM25N06 Datasheet (PDF)
cm25n06.pdf
RCM25N06 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 60V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 2 3 TO-220A 4
Otros transistores... CM20N50 , CM20N50F , CM20N50P , CM20N50PZ , CM20N60 , CM20N60F , CM20N60P , CM220N04 , IRFP250N , CM2N60 , CM2N60C , CM2N60F , CM2N65C , CM2N65F , CM2N80C , CM2N80F , CM30N40PZ .
History: IXKN75N60C | SPW11N60S5 | 2SK3161
History: IXKN75N60C | SPW11N60S5 | 2SK3161
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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