CM2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM2N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de CM2N60 MOSFET
CM2N60 Datasheet (PDF)
cm2n60.pdf
RCM2N60 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm2n60c to251.pdf
RCM2N60C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm2n60f.pdf
RCM2N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm2n60c.pdf
RCM2N60C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2LDP E C122
Otros transistores... CM20N50F , CM20N50P , CM20N50PZ , CM20N60 , CM20N60F , CM20N60P , CM220N04 , CM25N06 , 2N7000 , CM2N60C , CM2N60F , CM2N65C , CM2N65F , CM2N80C , CM2N80F , CM30N40PZ , CM3N50C .
History: AP4953GM | AP9922GEO | 2N90L-TA3-T | IRF3205LPBF | AP9938AGEY | BSZ017NE2LS5I | IRF3205PBF
History: AP4953GM | AP9922GEO | 2N90L-TA3-T | IRF3205LPBF | AP9938AGEY | BSZ017NE2LS5I | IRF3205PBF
Liste
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