CM2N60C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM2N60C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
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CM2N60C datasheet
cm2n60c to251.pdf
R CM2N60C www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm2n60f.pdf
R CM2N60F www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
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History: TK62N60X | ELM32414LA | STM8362 | R6007KNX
History: TK62N60X | ELM32414LA | STM8362 | R6007KNX
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