CM2N60C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CM2N60C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: TO251 TO252
Аналог (замена) для CM2N60C
CM2N60C Datasheet (PDF)
cm2n60c to251.pdf

RCM2N60C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm2n60c.pdf

RCM2N60C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2LDP E C122
cm2n60.pdf

RCM2N60 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm2n60f.pdf

RCM2N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
Другие MOSFET... CM20N50P , CM20N50PZ , CM20N60 , CM20N60F , CM20N60P , CM220N04 , CM25N06 , CM2N60 , IRFB4115 , CM2N60F , CM2N65C , CM2N65F , CM2N80C , CM2N80F , CM30N40PZ , CM3N50C , CM40N20 .
History: SI8466EDB | DMN2400UFB | SI3445ADV | IPB80N04S4-04 | NX7002BKH | IXTY64N055T | DMP3050LVT
History: SI8466EDB | DMN2400UFB | SI3445ADV | IPB80N04S4-04 | NX7002BKH | IXTY64N055T | DMP3050LVT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTE6888A | JMTE3003A | JMTE3002B | JMTE068N07A | JMTE060N06A | JMTE035N06D | JMTE035N04A | JMTE025N04D | JMTE018N03A | JMTD3134K | JMTD2N7002KS | JMSL1509PG | JMSL10A13P | JMSL10A13L | JMSL10A13K | JMSL1010PU
Popular searches
a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941