CM2N65C Todos los transistores

 

CM2N65C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM2N65C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.3 Ohm

Encapsulados: TO251 TO252

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CM2N65C datasheet

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R CM2N65F www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS

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CM2N65C

R CM2N60C www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

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History: CM2N80C | CM8N80 | PJW4N06A-AU | IRLR8259PBF | CM40N20 | DG2N65-252 | ZXMP6A16DN8

 

 

 

 

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