CM2N65C Todos los transistores

 

CM2N65C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM2N65C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251 TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM2N65C Datasheet (PDF)

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History: SI3442BDV | SVF4N60CAF | APT6025BVR | 2N7064 | IXFK48N50Q | FQD5N15TF | HAT1055R

 

 
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