CM2N65C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CM2N65C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm

Тип корпуса: TO251 TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CM2N65C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM2N65C даташит

 ..1. Size:126K  jdsemi
cm2n65c.pdfpdf_icon

CM2N65C

 8.1. Size:145K  jdsemi
cm2n65f.pdfpdf_icon

CM2N65C

R CM2N65F www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS

 9.1. Size:143K  jdsemi
cm2n60.pdfpdf_icon

CM2N65C

 9.2. Size:143K  jdsemi
cm2n60c to251.pdfpdf_icon

CM2N65C

R CM2N60C www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

Другие IGBT... CM20N60, CM20N60F, CM20N60P, CM220N04, CM25N06, CM2N60, CM2N60C, CM2N60F, 7N65, CM2N65F, CM2N80C, CM2N80F, CM30N40PZ, CM3N50C, CM40N20, CM4N60, CM4N60C