CM2N65C datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: CM2N65C 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для CM2N65C
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CM2N65C даташит
cm2n65f.pdf
R CM2N65F www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS
cm2n60c to251.pdf
R CM2N60C www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
Другие IGBT... CM20N60, CM20N60F, CM20N60P, CM220N04, CM25N06, CM2N60, CM2N60C, CM2N60F, 7N65, CM2N65F, CM2N80C, CM2N80F, CM30N40PZ, CM3N50C, CM40N20, CM4N60, CM4N60C
History: SI2306 | DTG045N04NA | SI7149ADP | IRF3704ZCLPBF | AP4606P | DTG025N04NA | F10N60
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet






