CM2N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM2N65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 24 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 4.3 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FL

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CM2N65F

CM2N65F Datasheet (PDF)

1.1. cm2n65f.pdf Size:145K _jdsemi

R CM2N65F 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆650V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等

4.1. cm2n65c.pdf Size:126K _jdsemi

R CM2N65C 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆650V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途主要用于充电器、LD驱动、P E C 辅助电源等各类功率开关电路 2．主要特点开关速度快通态电阻小，输入电容小 3�

5.1. cm2n60c to251.pdf Size:143K _jdsemi

R CM2N60C 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等

5.2. cm2n60c.pdf Size:122K _jdsemi

R CM2N60C 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途 2 主要用于充电器、LD驱动、P 辅助 E C 电源等各类功率开关电路 1 2 2．主要特点开关速度快通态电阻小，输入电�

5.3. cm2n60f.pdf Size:145K _jdsemi

R CM2N60F 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等

5.4. cm2n60.pdf Size:143K _jdsemi

R CM2N60 深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等�

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