CM2N65F. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CM2N65F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.3 Ohm
Тип корпуса: TO220FL
Аналог (замена) для CM2N65F
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CM2N65F даташит
cm2n65f.pdf
R CM2N65F www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS
cm2n60c to251.pdf
R CM2N60C www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
Другие MOSFET... CM20N60F , CM20N60P , CM220N04 , CM25N06 , CM2N60 , CM2N60C , CM2N60F , CM2N65C , IRFP250N , CM2N80C , CM2N80F , CM30N40PZ , CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 , CM4N60C , CM4N60F .
History: NTTFS4937NTAG | SI3475DV
History: NTTFS4937NTAG | SI3475DV
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent