CM2N80C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM2N80C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251 TO252
Búsqueda de reemplazo de CM2N80C MOSFET
CM2N80C Datasheet (PDF)
cm2n80c.pdf
RC28CMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 1LDP E C2
cm2n80f.pdf
RC28FMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 1LDP E C21 2
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History: AP9410GH | AP9450GMT-HF | AP95T10AGR-HF | IRF332R | AP9412AGM | 2SJ416 | CM2N80F
History: AP9410GH | AP9450GMT-HF | AP95T10AGR-HF | IRF332R | AP9412AGM | 2SJ416 | CM2N80F
Liste
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