CM2N80C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: CM2N80C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.3 Ohm
Тип корпуса: TO251 TO252
CM2N80C Datasheet (PDF)
..1. Size:129K jdsemi
cm2n80c.pdf
cm2n80c.pdf
RC28CMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 1LDP E C2
8.1. Size:127K jdsemi
cm2n80f.pdf
cm2n80f.pdf
RC28FMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 1LDP E C21 2
Другие MOSFET... CM20N60P , CM220N04 , CM25N06 , CM2N60 , CM2N60C , CM2N60F , CM2N65C , CM2N65F , IRLB4132 , CM2N80F , CM30N40PZ , CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 , CM4N60C , CM4N60F , CM4N65C .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918