CM2N80F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM2N80F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.3 Ohm
Encapsulados: TO220FL
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CM2N80F datasheet
cm2n80f.pdf
R C28F MN0 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD P E C 2 1 2
cm2n80c.pdf
R C28C MN0 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD P E C 2
Otros transistores... CM220N04 , CM25N06 , CM2N60 , CM2N60C , CM2N60F , CM2N65C , CM2N65F , CM2N80C , IRF9540 , CM30N40PZ , CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 , CM4N60C , CM4N60F , CM4N65C , CM4N65F .
History: CM4N60 | DMS2120LFWB | 4N60KL-TMS-T | 4N60KG-TMS2-T | DH100P30 | SLP65R380E7C | SI2356DS
History: CM4N60 | DMS2120LFWB | 4N60KL-TMS-T | 4N60KG-TMS2-T | DH100P30 | SLP65R380E7C | SI2356DS
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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