CM2N80F Todos los transistores

 

CM2N80F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM2N80F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FL
 

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CM2N80F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  jdsemi
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CM2N80F

RC28FMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 1LDP E C21 2

 8.1. Size:129K  jdsemi
cm2n80c.pdf pdf_icon

CM2N80F

RC28CMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 1LDP E C2

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History: FQPF11P06 | IXFX180N07 | FQP13N06L

 

 
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