CM2N80F Todos los transistores

 

CM2N80F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM2N80F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 24 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.3 Ohm

Encapsulados: TO220FL

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CM2N80F datasheet

 ..1. Size:127K  jdsemi
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CM2N80F

R C28F MN0 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD P E C 2 1 2

 8.1. Size:129K  jdsemi
cm2n80c.pdf pdf_icon

CM2N80F

R C28C MN0 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD P E C 2

Otros transistores... CM220N04 , CM25N06 , CM2N60 , CM2N60C , CM2N60F , CM2N65C , CM2N65F , CM2N80C , IRF9540 , CM30N40PZ , CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 , CM4N60C , CM4N60F , CM4N65C , CM4N65F .

History: CM4N60 | DMS2120LFWB | 4N60KL-TMS-T | 4N60KG-TMS2-T | DH100P30 | SLP65R380E7C | SI2356DS

 

 

 

 

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