CM2N80F. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CM2N80F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.3 Ohm
Тип корпуса: TO220FL
Аналог (замена) для CM2N80F
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CM2N80F даташит
cm2n80f.pdf
R C28F MN0 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD P E C 2 1 2
cm2n80c.pdf
R C28C MN0 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD P E C 2
Другие MOSFET... CM220N04 , CM25N06 , CM2N60 , CM2N60C , CM2N60F , CM2N65C , CM2N65F , CM2N80C , IRF9540 , CM30N40PZ , CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 , CM4N60C , CM4N60F , CM4N65C , CM4N65F .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent