Справочник MOSFET. CM2N80F

 

CM2N80F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CM2N80F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.3 Ohm
   Тип корпуса: TO220FL
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CM2N80F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  jdsemi
cm2n80f.pdfpdf_icon

CM2N80F

RC28FMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 1LDP E C21 2

 8.1. Size:129K  jdsemi
cm2n80c.pdfpdf_icon

CM2N80F

RC28CMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 1LDP E C2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRLB3034PBF | SIHG47N60S | MMFT60R195PTH | 9N95 | FK18SM-12 | IAUC60N04S6L039 | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.