CM3N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM3N50C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251 TO252
Búsqueda de reemplazo de CM3N50C MOSFET
CM3N50C Datasheet (PDF)
cm3n50c.pdf
RC35CMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 12 TO-251 TO-2523
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History: FDS9936A
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