Справочник MOSFET. CM3N50C

 

CM3N50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CM3N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm
   Тип корпуса: TO251 TO252
 

 Аналог (замена) для CM3N50C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM3N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  jdsemi
cm3n50c.pdfpdf_icon

CM3N50C

RC35CMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 12 TO-251 TO-2523

Другие MOSFET... CM2N60 , CM2N60C , CM2N60F , CM2N65C , CM2N65F , CM2N80C , CM2N80F , CM30N40PZ , IRFP260 , CM40N20 , CM4N60 , CM4N60C , CM4N60F , CM4N65C , CM4N65F , CM50N06 , CM55N06 .

History: IRLR220A | FDMA510PZ

 

 
Back to Top

 


 
.