CM4N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CM4N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FH

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CM4N65F

CM4N65F Datasheet (PDF)

..1. Size:130K jdsemi
cm4n65f.pdf

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8.1. Size:148K jdsemi
cm4n65c.pdf

RCM4N65C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE 2 TO-251 TO-25

9.1. Size:144K jdsemi
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RCM4N60C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

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cm4n60.pdf

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Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

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