CM4N65F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CM4N65F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
Тип корпуса: TO220FH
Аналог (замена) для CM4N65F
CM4N65F Datasheet (PDF)
cm4n65f.pdf

RCM4N65F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE 2 1 2 3
cm4n65c.pdf

RCM4N65C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE 2 TO-251 TO-25
cm4n60c.pdf

RCM4N60C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm4n60f.pdf

RCM4N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE 2 1 23
Другие MOSFET... CM2N80F , CM30N40PZ , CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 , CM4N60C , CM4N60F , CM4N65C , IRFP260 , CM50N06 , CM55N06 , CM5N50 , CM5N50C , CM5N50F , CM5N80F , CM60N03 , CM60N03C .
History: HF16N10 | SLP16N50S | R6010ANX | SSN65R065SFD3 | WM02N08L | APT38N60SC6 | APT39M60J
History: HF16N10 | SLP16N50S | R6010ANX | SSN65R065SFD3 | WM02N08L | APT38N60SC6 | APT39M60J



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor | 2sc897