CM50N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM50N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de CM50N06 MOSFET
CM50N06 Datasheet (PDF)
cm50n06.pdf
RCM50N06 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 60V N-Channel Trench-MOS RoHS 1 2 3 TO-220 4
Otros transistores... CM30N40PZ , CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 , CM4N60C , CM4N60F , CM4N65C , CM4N65F , SPP20N60C3 , CM55N06 , CM5N50 , CM5N50C , CM5N50F , CM5N80F , CM60N03 , CM60N03C , CM6N40 .
History: FDMA410NZ | STP18N10 | 2N6791LCC4 | IRFF430 | FS5VS-6 | 3SK63 | FCP11N60F
History: FDMA410NZ | STP18N10 | 2N6791LCC4 | IRFF430 | FS5VS-6 | 3SK63 | FCP11N60F
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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